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DLC類金剛石

低摩擦系數

減少摩擦損失

Low friction coefficient, reduce friction loss
真空應用解決方案提供商
首頁 > 功能設備 > 類金剛石DLC涂層設備
Diamond like carbon (DLC) coating equipment 類金剛石DLC涂層設備

      該系列設備具備多種DLC涂層沉積技術,模塊化的涂層設備設計,可根據客產品應用需求,單獨或組合過濾陰極電弧,閉合場磁控濺射,PACVD和離子源技術模塊于DLC沉積設備,適用于多種科學研究,產品開發和批量生產的要求。技術先進,操作方便,能量消耗少,綠色環保等特點,廣泛應用于機械,電子,光學,能源,裝飾等領域。

      HCVAC開發的DLC涂層,具有良好的附著性,高的硬度和耐磨性,低的摩擦系數,低的表面粗糙度,能在多種金屬與合金工模具或零件表面沉積DLC涂層。獨特的低溫涂層技術,還能適用于在塑膠等不耐高溫的材料上沉積DLC涂層。

      DLC涂層具有較高的硬度、優異的減摩耐磨性能、高熱導率、低介 電常數、寬帶隙、良好的光學透過性以及優異的化學惰性和生物兼容性等,在航空航天、機械、電子、光學、裝飾外觀保護、生物醫學等領域有著廣闊的應用前景。DLC涂層適合于磨損和滑動的環境下,在沒有任何潤滑介質的條件下,可以降低摩擦損耗,可以用于汽車發動機零部件(燃油噴射系統、動力傳動系統)、軸承、滾輪、紡織機械、航空航天等眾多領域。

      DLC涂層設備制備的DLC涂層(類金剛石涂層),具備質量穩定,與基體結合力好,耐磨性好,摩擦系數低,耐腐蝕性好等綜合優良性能。廣泛應用于發動機零部件,有色金屬切削刀具,有色金屬及不銹鋼等成型沖壓模具,滑動密封部件,半導體行業模具,注塑模具,紡織行業等。

      針對不同的行業,并根據客戶不同的要求及材料,我們運用不同的工藝及制備方法,設計出相適應的DLC涂層設備,以滿足客戶的需要。

DLC涂層特點:
1、是一個很好的自潤滑塑料加工應用涂層;
2、涂層特別致密,不起化學作用,沉積膜是1~3μm,硬度是2000HV~2500HV;
3、具有優異的摩擦磨損性能,耐高溫350℃,并具有很高的耐粘接劑和磨粒磨損;
4、快速、可預見的脫模大大提高質量和生產率,是PECVD涂層塑料加工的首選。


主要模塊
Arc HiPIMS
創新的APA蒸發器技術(先進的等離子輔助)基于陰極真空電弧,為新的層結構提供了多種開發可能性。
優勢:
●靶材使用率高,降低靶材成本
●沉積率高
●磁場可調節
●靶材更換時間短
●等離子體密度高
●完美的涂層結合力
HiPIMS代表高功率脈沖磁控濺射。
優勢:
●離化率高(類似于電弧法)
●高功率密度,從 100 到1000 W/cm2
●等離子密度非常高
●可以通過等離子參數設置來調節層結構
●涂層非常光滑
●完美的涂層結合力
●在低基材溫度下沉積致密的涂層
其他模塊
濺射 氮化
在濺射工藝中,通過高能離子(Ar)轟擊靶材,分離成原子進而轉化成氣相。通過結合濺射材料和其他氣體,將涂層沉積在基材上。
優勢:
●可以濺射多種材料
●多種工藝變量可用
●光滑的涂層
●結合功率刻蝕工藝AEGD獲得好的涂層結合力
使用氮化模塊,可在同一個系統、同一個批次,在PVD和/或PACVD涂層工藝之前進行等離子氮化工藝。由此生成一個硬化層,為后續的PVD/PACVD涂層提供完美的支撐。
優勢:
●優化工具和零部件屬性
●替代昂貴的基材
●顯著延長壽命
●可以應用所有PVD涂層
DLC ta-C
DLC就是類金剛石涂層,指一系列具有超低摩擦系數的非晶碳涂層。使用DLC模塊,可以通過使用PVD和/或PACVD工藝來生成不同的DLC涂層。標準DLC涂層包括不含金屬或含金屬的碳基涂層。
優勢:
●完美的涂層結合力
●高耐磨性
●低摩擦系數
●光滑的涂層
ta-C 就是不含氫的四面體非晶碳,指的是一組極硬、低摩擦的非晶碳涂層。使用ta-C模塊可以生產不同的ta-C涂層。
優勢:
●適用于比DLC更高的溫度環境
●非常高的耐磨性
●完美的涂層結合力
●光滑的涂層

Product Advantage.

產品特點
HCSH系列類金剛石DLC涂層設備包括以下關鍵功能:
  • 結構緊湊

    占地面積小,易于集成到工廠

  • 一致性

    整個腔室中均勻的鍍膜沉積速率

  • 簡單

    易于操作維護

  • 模塊化

    多種工藝技術靈活組合

  • DLC

    耐用類金剛石涂層鍍膜

  • 監控

    本地或遠程監控鍍膜過程

型號 HCSH-400
有效等離子區域 D400×H450mm
最高工作溫度 550℃
技術特點 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
預處理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
陰極 D120 / D160 / W125
真空條件 極限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工藝周期 關門到開門4~5h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
設備配置 磁懸浮分子泵
脈沖偏壓電源
PC智能控制系統
標準轉架 D140×4軸
最大裝載量 200KG
備注 選用濺射(UBM,RF等)有效高度會適當減小
在線服務支持系統

Application cases.

應用案例
型號 HCSH-650
有效等離子區域 D650×H750mm
最高工作溫度 550℃
技術特點 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
預處理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
陰極 D120 / D160 / W125
真空條件 極限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工藝周期 關門到開門5~8h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
設備配置 磁懸浮分子泵
脈沖偏壓電源
PC智能控制系統
標準轉架 D140×8軸
最大裝載量 500KG
備注 選用濺射(UBM,RF等)有效高度會適當減小
在線服務支持系統

Application cases.

應用案例
型號 HCSH-900
有效等離子區域 D900×H1200mm
最高工作溫度 550℃
技術特點 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
預處理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
陰極 D120 / D160 / W125
真空條件 極限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工藝周期 關門到開門7~10h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
設備配置 磁懸浮分子泵×2
脈沖偏壓電源
PC智能控制系統
標準轉架 D140×12軸
最大裝載量 500KG
備注 選用濺射(UBM,RF等)有效高度會適當減小
在線服務支持系統

Application cases.

應用案例
型號 HCSH-1800
有效等離子區域 D900×H1500mm
最高工作溫度 550℃
技術特點 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
預處理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
陰極 D120 / D160 / W125
真空條件 極限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工藝周期 關門到開門7~10h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
設備配置 磁懸浮分子泵×2
脈沖偏壓電源
PC智能控制系統
標準轉架 D140×12軸
最大裝載量 500KG
備注 選用濺射(UBM,RF等)有效高度會適當減小
在線服務支持系統

Application cases.

應用案例
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電話:13316689188

郵箱:office@hcvac.com

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